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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
40
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
28
读取速度,GB/s
12.3
13.0
写入速度,GB/s
8.9
10.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2757
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
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