RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
57
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
57
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2792
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link