RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
57
En 47% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
8500
En 3.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
57
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
25600
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2792
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link