RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2843
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Corsair VS1GB800D2 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link