RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2843
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link