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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
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规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
30
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
24
读取速度,GB/s
10.6
16.0
写入速度,GB/s
6.8
11.6
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2843
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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