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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
12.8
16.5
写入速度,GB/s
9.0
12.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3128
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
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