RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3639
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link