RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
30
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.6
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.1
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
29
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
16.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
3639
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link