RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
31
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3042
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link