RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3886
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link