RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
30
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2809
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link