RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
30
Autour de -36% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
22
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2809
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link