RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2947
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link