RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
30
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3126
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link