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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
30
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
3126
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
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