RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
30
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2561
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link