RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
35
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2863
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M392B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link