RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
30
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3819
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link