RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,303.7
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
117
Wokół strony -244% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
117
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,094.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,303.7
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
784
2201
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link