RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3508
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5471-038.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Corsair VS1GB533D2 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link