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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
30
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
3508
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KMKYF9-MIB 8GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
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