RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
30
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
19
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3359
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4C
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Mushkin 992018 (997018) 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link