RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
30
Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.9
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
19
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
19.9
Скорость записи, Гб/сек
6.8
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3359
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link