RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2503
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link