RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2806
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link