RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
68
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
2,285.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,165.3
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,285.0
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
784
2193
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link