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A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
68
Intorno -152% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
2,285.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
27
Velocità di lettura, GB/s
4,165.3
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,285.0
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
784
2193
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
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