RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
29
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3736
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link