RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
46
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
20
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3483
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
INTENSO M418039 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link