RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
46
Около -130% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
20
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
19.5
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3483
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link