Kingston KY7N41-MID 8GB против Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston KY7N41-MID 8GB

Kingston KY7N41-MID 8GB

Средняя оценка

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KY7N41-MID 8GB

Причины выбрать
Kingston KY7N41-MID 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 38

Около 8% меньшая задержка
Выше скорость записи

11.8 10.9

Среднее значение в тестах

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Причины выбрать
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.5 15.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 21300

Около 1.2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KY7N41-MID 8GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

35 38
Скорость чтения, Гб/сек

15.5 16.5
Скорость записи, Гб/сек

11.8 10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

21300 25600

Other

Описание

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2869 2829

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N

модули RAM

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB

Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Kingston KHX2400C14/16G 16GB

Kingston KHX2400C14/16G 16GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Kingston K6VDX7-MIE 8GB

Kingston K6VDX7-MIE 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB

Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB

Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB

Kingston KF548C38-16 16GB

Kingston KF548C38-16 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB

Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB

Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingston KH2400C15D4/8 8GB

Kingston KH2400C15D4/8 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Kingston KTD3KX-MIB 8GB

Kingston KTD3KX-MIB 8GB

модули RAM