RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
4039
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link