RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3899
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link