RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
65
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
4065
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
KingSpec KingSpec 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link