RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Comparez
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Note globale
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Note globale
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
65
Autour de -132% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.8
1,711.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,018.7
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,711.1
17.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
513
4065
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparaison des RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link