RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
29
Autour de 17% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
29
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3313
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link