RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
29
Intorno 17% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
29
Velocità di lettura, GB/s
16.0
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3313
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8C
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link