RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3313
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link