RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
30
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
21
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
19.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
4293
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link