RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
30
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.4
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.6
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
21
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
21.4
Скорость записи, Гб/сек
6.8
19.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
4293
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link