RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3937
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link