RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3937
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link