RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3255
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link