RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
30
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
17.0
Скорость записи, Гб/сек
6.8
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3255
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905402-158.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link