Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    22 left arrow 30
    Wokół strony -36% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    17.7 left arrow 10.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    13.1 left arrow 6.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 8500
    Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    30 left arrow 22
  • Prędkość odczytu, GB/s
    10.6 left arrow 17.7
  • Prędkość zapisu, GB/s
    6.8 left arrow 13.1
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1479 left arrow 2666
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania