RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
30
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2666
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link