RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
56
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2792
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link