RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Porównaj
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
52
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
1,906.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,672.4
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,906.4
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
698
2520
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link