RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Comparar
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
52
Por volta de -68% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
1,906.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,672.4
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,906.4
9.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
698
2520
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link