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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
56
左右 -56% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
36
读取速度,GB/s
4,387.7
15.4
写入速度,GB/s
1,813.5
11.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
2792
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Mushkin 991586 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston FQ453-80003 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
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