RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2169
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
UMAX Technology 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link