RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
35
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3242
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link